公司动态
2026世界制造业大会期间，《安徽经济报》推出大会特刊，对格恩半导体（安徽）股份有限公司进行了专版报道，聚焦这家扎根六安的硬科技企业在氮化镓激光芯片领域的突围之路。
打破垄断，实现规模化量产。长期以来，氮化镓激光芯片核心技术被日、德等少数国际巨头垄断，国内下游应用高度依赖进口。2023年8月，格恩半导体率先在国内实现氮化镓激光芯片规模化量产，填补了国内产业空白，成为全球少数拥有从芯片设计、外延生长、芯片制造到特种封装、模组器件完整产业链布局的IDM企业。
技术攻坚，性能达国际先进水平。近三年，公司累计研发投入约1.5亿元，自主攻克超低缺陷密度外延生长、高损伤阈值腔面镀膜、低热阻封装等六大核心工艺，将芯片电光转换效率从35%提升至42%以上。目前，公司已形成蓝、绿、紫光全波段三十余款产品矩阵，蓝光芯片最高输出功率突破7W，绿光芯片超过1.5W，性能达国内领先、国际先进水平，产品批量进入激光投影、车载照明、工业加工等高价值场景。
专利护航，构筑核心技术“护城河”。截至2026年8月，公司累计申请专利556项，其中发明专利占比超90%，已获授权专利180项，连续三年上榜中国激光技术专利排行榜前列，构建起覆盖外延、芯片、封装、模组全环节的知识产权防护体系。公司先后获评国家高新技术企业、国家专精特新重点“小巨人”企业等多项荣誉。
前瞻布局，启动“双轮驱动”新战略。面向“十五五”，公司坚持“氮化镓激光芯片+Micro LED光互联”双轮驱动战略，一方面做深激光芯片主业，拓宽光谱覆盖范围；另一方面抢跑光互联新赛道，基于自有技术路线开展Micro LED光互联研发，加速产品从实验室走向产线，致力于打造国内领先的化合物半导体IDM标杆企业。
