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氮化镓势不可当

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2023/8/5     浏览次数:    

近日,三星电子在韩国举办的2023年三星晶圆代工论坛上宣布,将于2025年启动面向消费电子、数据中心和汽车应用的8英寸氮化镓(GaN)功率半导体代工服务。

氮化镓作为宽禁带半导体的“门面”之一,近期随着技术的不断升级,性能被进一步开发,开始强势“破圈”,不再局限于快充等消费电子市场,而是向新能源汽车、数据中心、可再生能源等高速发展的热门领域持续推进。数据显示,2022年全球氮化镓功率器件市场规模为1.8亿美元,到2026年将有望达到13.3亿美元,年复合增长率达65%。

“上车”竞争力不断提升

氮化镓作为宽禁带半导体的中流砥柱,具备高频率、低损耗、抗辐射性强等优势,可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求。近几年,随着各大科研院所和领军企业的不断研究,氮化镓技术在成本、良率和稳定性上,都实现了优化和改善。

特别是在车用功率器件领域,氮化镓功率器件的市场份额一直保持稳定增长。数据显示,到2027年,氮化镓功率器件的市场规模有望达到20亿美元,而在2021年仅为1.26亿美元,电动汽车将成为氮化镓功率器件的下一个增长点,市场规模将超过2.27亿美元,年复合增长率将高达99%。

因此,氮化镓也越来越受到汽车芯片大厂的青睐。近期,三星电子宣布,为了满足汽车领域对功率半导体的需求,将进军氮化镓市场,计划在2025年,为汽车应用、消费级和数据中心等领域提供8英寸氮化镓晶圆代工服务;英飞凌宣布,以8.3亿美元收购氮化镓功率半导体制造商GaN Systems,意在加强其氮化镓产品组合,加速氮化镓技术路线图;德州仪器表示,将扩大在日本福岛县会津工厂的氮化镓晶圆产能。

随着氮化镓“上车”的速度不断加快,竞争力不断提升,在部分电压等级相对硅和碳化硅更具优势。

英诺赛科产品部高级副总裁孙毅表示,在650V电压等级,氮化镓相对碳化硅具备更好的高频特性,可以大幅提高终端产品的功率密度。目前主流的氮化镓是硅基氮化镓,整体相对碳化硅来讲,成本的优势比较大,所以在650V这个等级来看,氮化镓相对于碳化硅在性能和成本都具备比较大的优势。

安世半导体副总裁Carlos Castro表示:“氮化镓拥有更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。与硅解决方案相比,碳化硅车载充电器将成本降低了约13%,而氮化镓则将系统成本降低了24%,而且可以大幅缩短新能源汽车的充电时间,以及减少电源转换系统体积等。”

数据中心节能减排的必备神器

在当下这个AI爆火的时代,需要部署大量的数据中心进行数据的存储和运算,整体的耗电量非常巨大。按照当前的数据中心用电量估算,到2030年,全球数据中心消耗的电能将达到3000TWh,占全球用电量的10%。有数据显示,全球数据中心的整体供电效率每提升1%,将为全球节省4座1GWh的核电站。

如果在数据中心的服务器电源PFC和高压DC/DC部分用氮化镓MOSFET替代硅MOSFET,节省的电量可达到15TW以上,其价值可达到十几亿美元,并且有助于数据中心提升效率、降低成本、大幅降低电费,满足碳中和、碳达峰的要求。

孙毅表示,AI芯片的算力提升,也离不开其供电功率密度和动态响应的提升,氮化镓可以发挥其高频特性的优势,提升芯片供电模块的工作频率,从而提升供电的功率密度和动态响应。英诺赛科目前提出了AI服务器全链路氮化镓的解决方案,从交流电源,到总线电源模块,直到CPU/GPU供电都采用氮化镓方案,可以整体提升功率转换效率达到5%以上。基于氮化镓的数据中心供电解决方案,可以大幅减小其供电系统的能耗,达到节能减排的效果。

氮化镓在数据中心中的渗透率会持续增加,越来越多的电源供应商已经在其系统中使用了氮化镓。德州仪器、英飞凌、罗姆等氮化镓龙头企业都宣布了最新进展。

快充领域的“明星技术”

氮化镓真正称王还是在快充和射频领域。因为其拥有高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场等优越的电学性质,所以,采用氮化镓功率芯片的充电器具有开关速度快、充电效率高、散热快、体积小巧等明显优势,被广泛应用在手机、笔记本电脑等个人移动充电设备中。如今,氮化镓已经成功导入手机内部电源管理。

数据显示,氮化镓的应用加速了快充充电器的市场发展,2022年的快充渗透率提升至24%,全球市场规模达到27.43亿美元。预计到2026年,国内氮化镓充电器市场规模将上升至50亿元。小米、华为、努比亚等手机厂商开始入局氮化镓充电器市场,氮化镓充电器市场已经进入百花齐放的时代。

“目前,氮化镓技术已经成为消费电子充电领域的‘明星’。”孙毅表示。

在射频领域,Yole的数据显示,氮化镓射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美元增长到2026年24亿美元,年复合增长率为18%,其中电信基础设施是氮化镓射频器件的主要驱动力。并且,除了中国,日本、韩国、美国等国家和地区也在积极布局5G和6G,氮化镓射频市场亟待爆发。

“5G通信将成为氮化镓射频器件未来主要的市场应用领域。”合肥芯谷微电子有限公司副总经理黄军恒表示,GaN-on-SiC技术是氮化镓射频器件当前采用的主要技术,部分采用GaN-on-Si技术。半绝缘型碳化硅衬底适用于做射频氮化镓器件,氮化镓射频应用的碳化硅基氮化镓外延片4英寸和6英寸并存,海外6英寸代表企业有Wolfspeed、Qorvo、NXP,4英寸代表企业为住友电工。

当然,氮化镓的应用领域不止这些,在LED驱动、汽车的激光雷达、电池化成、光伏逆变器与储能等领域都得到了广泛的应用。未来,氮化镓还会有更多的应用方向被发掘,让我们拭目以待。


来源:中国电子报

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